職位描述
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崗位職責(zé):
1.代工廠協(xié)同與工藝對接: 作為公司技術(shù)窗口,與代工廠(Fab)的PIE、TD團(tuán)隊(duì)進(jìn)行日常技術(shù)溝通,主導(dǎo)新產(chǎn)品導(dǎo)入(NPI)的工藝實(shí)現(xiàn)。
2.良率提升與問題攻關(guān): 主導(dǎo)功率MOSFET產(chǎn)品的良率提升項(xiàng)目,通過數(shù)據(jù)分析和實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),定位并解決制造過程中的良率瓶頸和異常問題。
3.實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化: 獨(dú)立或協(xié)同制定DOE,用于工藝窗口優(yōu)化、可靠性問題根因分析及新產(chǎn)品/新工藝的可行性驗(yàn)證。
4.測試數(shù)據(jù)分析與優(yōu)化: 深度分析CP(晶圓測試)和FT(最終測試)數(shù)據(jù),建立電性參數(shù)與工藝條件的關(guān)聯(lián),優(yōu)化測試條件,提升測試覆蓋率和效率。
5.產(chǎn)品文檔撰寫: 負(fù)責(zé)撰寫和維護(hù)產(chǎn)品規(guī)格書、制程指南、良率分析報(bào)告等技術(shù)文檔。
任職資格:
1.學(xué)歷專業(yè): 微電子學(xué)、半導(dǎo)體物理、電子科學(xué)與技術(shù)、應(yīng)用物理學(xué)等相關(guān)專業(yè),本科及以上學(xué)歷。
2.工作經(jīng)驗(yàn): 半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn),必須具備在集成電路代工廠(Foundry)的PIE(工藝整合工程師)或TD(器件研發(fā))崗位工作經(jīng)驗(yàn)。
3.核心技術(shù):
4.工藝知識(shí): 熟悉功率器件核心制造工藝(如光刻、刻蝕、薄膜、擴(kuò)散/離子注入等)。
5.器件基礎(chǔ): 深入理解MOSFET器件物理、特性參數(shù)(如Vth, Rds(on), BVdss, Gm等)及其與工藝的關(guān)聯(lián)。
6.數(shù)據(jù)分析: 熟練使用數(shù)據(jù)分析工具(如SQL, JMP, Excel, Python等)進(jìn)行CP/FT數(shù)據(jù)分析,并具備基本的統(tǒng)計(jì)知識(shí)。
7.實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì): 具備獨(dú)立設(shè)計(jì)并分析DOE的能力,以解決實(shí)際問題。
加分項(xiàng):
有功率器件(SGT/SJ) 相關(guān)產(chǎn)品或工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
具備良率提升項(xiàng)目成功經(jīng)驗(yàn),并能量化其貢獻(xiàn)者優(yōu)先;
做過汽車電子產(chǎn)品的優(yōu)先。
1.代工廠協(xié)同與工藝對接: 作為公司技術(shù)窗口,與代工廠(Fab)的PIE、TD團(tuán)隊(duì)進(jìn)行日常技術(shù)溝通,主導(dǎo)新產(chǎn)品導(dǎo)入(NPI)的工藝實(shí)現(xiàn)。
2.良率提升與問題攻關(guān): 主導(dǎo)功率MOSFET產(chǎn)品的良率提升項(xiàng)目,通過數(shù)據(jù)分析和實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),定位并解決制造過程中的良率瓶頸和異常問題。
3.實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化: 獨(dú)立或協(xié)同制定DOE,用于工藝窗口優(yōu)化、可靠性問題根因分析及新產(chǎn)品/新工藝的可行性驗(yàn)證。
4.測試數(shù)據(jù)分析與優(yōu)化: 深度分析CP(晶圓測試)和FT(最終測試)數(shù)據(jù),建立電性參數(shù)與工藝條件的關(guān)聯(lián),優(yōu)化測試條件,提升測試覆蓋率和效率。
5.產(chǎn)品文檔撰寫: 負(fù)責(zé)撰寫和維護(hù)產(chǎn)品規(guī)格書、制程指南、良率分析報(bào)告等技術(shù)文檔。
任職資格:
1.學(xué)歷專業(yè): 微電子學(xué)、半導(dǎo)體物理、電子科學(xué)與技術(shù)、應(yīng)用物理學(xué)等相關(guān)專業(yè),本科及以上學(xué)歷。
2.工作經(jīng)驗(yàn): 半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn),必須具備在集成電路代工廠(Foundry)的PIE(工藝整合工程師)或TD(器件研發(fā))崗位工作經(jīng)驗(yàn)。
3.核心技術(shù):
4.工藝知識(shí): 熟悉功率器件核心制造工藝(如光刻、刻蝕、薄膜、擴(kuò)散/離子注入等)。
5.器件基礎(chǔ): 深入理解MOSFET器件物理、特性參數(shù)(如Vth, Rds(on), BVdss, Gm等)及其與工藝的關(guān)聯(lián)。
6.數(shù)據(jù)分析: 熟練使用數(shù)據(jù)分析工具(如SQL, JMP, Excel, Python等)進(jìn)行CP/FT數(shù)據(jù)分析,并具備基本的統(tǒng)計(jì)知識(shí)。
7.實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì): 具備獨(dú)立設(shè)計(jì)并分析DOE的能力,以解決實(shí)際問題。
加分項(xiàng):
有功率器件(SGT/SJ) 相關(guān)產(chǎn)品或工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先;
具備良率提升項(xiàng)目成功經(jīng)驗(yàn),并能量化其貢獻(xiàn)者優(yōu)先;
做過汽車電子產(chǎn)品的優(yōu)先。
工作地點(diǎn)
地址:重慶梁平區(qū)平偉股份
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職位發(fā)布者
HR
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應(yīng)屆畢業(yè)生
本科
2026-03-27 02:38:27
1490人關(guān)注
注:聯(lián)系我時(shí),請說是在江蘇人才網(wǎng)上看到的。
